亚洲电源技术发展论坛圆满举行
发布时间：2019-12-25 15:07:00
阅览次数：4737
来源：
2019年12月21日，备受业界关注的亚洲电源技术发展论坛暨第十届深圳高性能电源技术分享与实战技术研讨会在深圳盛大举行。龙腾半导体股份有限公司董事长徐西昌、首席技术官李铁生博士、常务副总经理陈桥梁博士、销售副总经理陆海涛参加会议。
研讨会议现场
此次活动可谓规模空前，现场人山人海，交流气氛热烈。会议期间，龙腾半导体技术应用部经理朱飞作了题为“屏蔽栅MOSFET的性能和应用案例分析”的专场报告，介绍了SGT MOSFET的原理及发展历程，特别针对SGT MOSFET在应用中易出现的问题及解决方法，通过实际案例进行了分析总结，生动而具体，得到与会人员的广泛关注与好评。
龙腾半导体FAE经理朱飞专题报告
此次龙腾半导体携全系列创新产品亮相论坛，涵盖低压超结 MOSFET L4系列、超结 MOSFET L3系列、高压平面VDMOS、屏蔽栅沟槽 MOSFET及低压沟槽MOSFET。丰富的样品种类、活跃的礼品活动互动气氛、详细的业务交流、专业的技术讲解让展台格外引人注目。会议现场龙腾半导体与诸多业界精英、新老客户及代理商代表进行了充分的交流，龙腾半导体首席技术官李铁生博士重点就公司未来技术发展方向、产品迭代规划、产品技术特点及优势等进行了详细介绍，表达了公司必将加快推进产品技术迭代，加速技术创新及产品创新的决心，得到了众多老客户的一致认可，引起了潜在客户的浓烈兴趣。
龙腾半导体首席技术官李铁生博士与客户现场交流
龙腾半导体AE经理高远与客户现场交流
展位现场龙腾半导体常务副总陈桥梁博士致辞
在今后的日子里，龙腾半导体将继续陪伴大家同风雨，共进退，不辜负大家对龙腾的信任与厚爱。龙腾半导体将始终不忘初心，坚持技术源于创新、服务源于需求、品质源于责任的宗旨，做好产品，做好服务，为推进国产功率半导体器件产业的发展做出积极贡献。
