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龙腾半导体
SiC MOSFET
产品介绍
龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计、JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电流和击穿电压等性能良好折衷,并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力。
龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计、
JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电
流和击穿电压等性能良好折衷,并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力。
产品特点
· 击穿电压高 · 比导通电阻低 · 开关损耗低 · 最大工作结温175℃