SiC MOSFET

 产品介绍

龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品，采用小元胞设计、

JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构，使得导通电阻、泄漏电

流和击穿电压等性能良好折衷，并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力。

 产品特点

· 击穿电压高
     · 比导通电阻低
     · 开关损耗低
     · 最大工作结温175℃